Klaim Artikel Anda
Verifikasi kepemilikan artikel akademik
Apakah artikel-artikel ini milik Anda?
Daftarkan diri Anda sebagai author untuk mengklaim artikel dan dapatkan profil akademik terverifikasi dengan fitur lengkap.
Badge Verifikasi
Profil terverifikasi resmi
Statistik Lengkap
H-index, sitasi, dan metrik
Visibilitas Tinggi
Tampil di direktori author
Kelola Publikasi
Dashboard artikel terpadu
Langkah-langkah Klaim Artikel:
- 1. Daftar akun author dengan email akademik Anda
- 2. Verifikasi email dan lengkapi profil
- 3. Login dan buka menu "Klaim Artikel"
- 4. Cari dan klaim artikel Anda
- 5. Tunggu verifikasi dari admin (1-3 hari kerja)
Menampilkan 1–1 dari 1 artikel
Klem Aktif Tunggal Interleaved flyback dengan Kombinasi N-MOSFET dan P-MOSFET
Kurniawan, Andriyatna Agung
; Universitas Gadjah Mada
; Firmansyah, Eka
; Universitas Gajah Mada
; Wijaya, F. Danang
; Universitas Gajah Mada
; Eka Firmansyah, Universitas Gadjah Mada
; F, Danang Wijaya, Universitas Gadjah Mada
Telematika
Vol 11
, No 1
(2018)
Penggunaan topologi interleaved flyback dengan menyusun dua atau lebih rangkaian flyback dapat mengakibatkan peningkatan dampak tegangan kejut. Dengan meningkatnya dampak tegangan kejut akan berakibat meningkatnya pula resiko kerusakan sistem akibat tegangan kejut tersebut. Dalam penelitian ini, diusulkan sebuah rangkaian klem aktif tunggal untuk mengatasi masalah tegangan kejut yang timbul dari dua buah flyback yang tersusun dalam konfigurasi interleaved. Selain untuk mengatasi ...
Sumber Asli
Google Scholar
DOI