š
13 February 2018
DOI: 10.35671/telematika.v11i1.599
Klem Aktif Tunggal Interleaved flyback dengan Kombinasi N-MOSFET dan P-MOSFET
Telematika
Universitas Amikom Purwokerto
š Abstract
Penggunaan topologi interleaved flyback dengan menyusun dua atau lebih rangkaian flyback dapat mengakibatkan peningkatan dampak tegangan kejut. Dengan meningkatnya dampak tegangan kejut akan berakibat meningkatnya pula resiko kerusakan sistem akibat teganganĀ kejutĀ tersebut.Ā DalamĀ penelitianĀ ini,Ā diusulkanĀ sebuahĀ rangkaianĀ klemĀ aktif tunggal untuk mengatasi masalah tegangan kejut yang timbul dari dua buah flyback yang tersusunĀ dalamĀ konfigurasi interleaved.Ā SelainĀ untukĀ mengatasiĀ teganganĀ kejutĀ yang timbul,Ā pemasanganĀ klemĀ aktifĀ tunggalĀ padaĀ interleavedĀ flybackĀ jugaĀ mengurangi penggunaan komponen aktif dan pasif pada sistem sehingga dapat meningkatkan efisiensi dan mengurangi biaya produksi. Penelitian ini disimulasikan pada sistem area kerja 350 W dan dari simulasi diperoleh nilai efisiensi 91.8%.Ā Kata Kunci: flyback, interleaved, klem, kejut.
š Keywords
#flyback; klem; interleaved; topologi
ā¹ļø Informasi Publikasi
Tanggal Publikasi
13 February 2018
Volume / Nomor / Tahun
Volume 11, Nomor 1, Tahun 2018
š HOW TO CITE
Kurniawan, Andriyatna Agung; Universitas Gadjah Mada; Firmansyah, Eka; Universitas Gajah Mada; Wijaya, F. Danang; Universitas Gajah Mada; Eka Firmansyah, Universitas Gadjah Mada; F, Danang Wijaya, Universitas Gadjah Mada, "Klem Aktif Tunggal Interleaved flyback dengan Kombinasi N-MOSFET dan P-MOSFET," Telematika, vol. 11, no. 1, Feb. 2018.
ACM
ACS
APA
ABNT
Chicago
Harvard
IEEE
MLA
Turabian
Vancouver
Download Citation
0
Sitasi
Cek Google Scholar